科研专家：曹永革

      博士，研究员，课题组长，博士生导师。1970年12月出生。1998 年毕业于北京科技大学材料学院，获博士学位，师从葛昌纯院士。1998.6 -2000.5中国科学院物理研究所作博士后，合作导师为梁敬魁院士，2000.9受聘为中科院物理所副研究员；期间，2001.9-2004.8在香港大学物理系表面物理及中科院国家重点联合实验室作博士后研究，从事分子束外延生长InGaN，邀请人为谢茂海教授及唐叔贤院士。2004.9-2006.3在日本名古屋工业大学作COE特别研究员并进而受聘为项目助教授（Project Associate Professor），期间2005年6月聘为西北工业大学材料学院教授；２００6年加盟中科院福建物质结构研究所。中科院“百人计划”入选者。

      主要从事光功能陶瓷研究、III-V族半导体体合物光电材料的体单晶生长及其薄膜太阳电池材料研究。目前研究方向为激光陶瓷及InGaN薄膜太阳电池。

      分子束外延生长（MBE）系统、多功能磁控溅射系统、超高真空陶瓷烧结系统、真空热压烧结炉、真空气氛烧结炉、冷等静压机、湿法成型造粒系统等等。

       在《Phys. Rev. B》(Rapid Communication) 、《Applied Physics Letter 》、《Advanced Materials 》 等国内外较有影响力的学术期刊发表论文80多篇，其中被SCI收录50多篇，SCI论文已被引用600余篇次，他引560余篇次。授权中国发明专利3项、获北京市科技进步奖三等奖一项。目前主要承担科技部重大基础科学研究计划（973）纳米重大科学研究计划子课题、中科院百人计划项目、福建省科技计划重点项目、闽港合作项目、福建物构所重大专项等十余项项目。