科研专家：陈晨龙

1999年本科毕业于哈尔滨理工大学，2005年3月博士毕业于中科院半导体所并留所从事科研工作。2006-2015在台湾中山大学从事晶体生长和宽能隙半导体材料生长及性能研究工作。2015-今在中科院福建物质结构研究所开展首创性大尺寸纳米多孔GaN单晶晶体和大面积3D单晶交联纳米结构等新颖宽能隙半导体晶体纳米结构材料研究。

研究领域：

1)多孔GaN单晶晶体之生长、性能及应用开发

2)氧化物晶体材料之氮化转化研究

3)3D单晶交联GaN&ZnO纳米结构之制备、性能及应用开发

4)新颖宽能隙半导体材料的晶体生长与性能研究

5)非极性GaN晶体、薄膜和纳米材料生长及其光电性能研究